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１２Ｂ４Ａ×２ＳＥＰＰＯＴＬヘッドホンアンプ 平成１８年１月２日 
このアンプは平成２２年１月に分解し、ＰＴ、ＣＨコイルは直結カソードフォロアー５９９８Ａシングルアンプに流用した。
現在、真空管式ヘッドホンアンプの既製品はほとんど市販されていない。 また、マニアの自作品もネットで検索すれば見つかるが、ほとんどがインピーダンスマッチングのためのトランスが使用されている。 せっかくの広帯域ヘッドホンを使用するのであるから、出力トランスの使用は納得できない。 そこで真空管ＳＥＰＰＯＴＬ方式のヘッドホンアンプの製作を思いついた。 ヘッドホンのインピーダンスは３２Ω以上が一般的であるから、大型管を使用すれば出力数ＷのＳＥＰＰＯＴＬアンプの製作は比較的容易である。 しかし、せいぜい１Ｗ有れば十分であるヘッドホンに大型管を使用するのも無駄と思う。 しかし、１２ＡＵ７、６ＦＱ７、１２ＢＨ７Ａクラスではたとえ３２〜５０Ω負荷であっても、多数並列使用しなければ最大出力１Ｗはとても取り出せない。 一番出力が大きくなると思われる１２ＢＨ７Ａをパラにしても０．１Ｗ程度（プレート電圧１５０Ｖ時）である。 そこでフッターマンＯＴＬに使用されていた１２Ｂ４Ａを使用した場合の最大出力を検討したところ、プレート電圧１５０Ｖ、３２Ω負荷で１．５Ｗ程度の最大出力が得られそうである。 詳しくは「１２Ｂ４ＡＳＥＰＰＯＴＬの最大出力」 を参照されたい。 初段は１２ＡＸ７による差動型位相反転回路、ブートストラップ方式、電源接地、出力コンデンサー方式を採用することにしたが、３２Ω負荷であれば出力コンデンサーもあまり大きい容量は必要ない。 なお、このアンプは２段増幅であるから、打ち消し電圧の注入部位に注意しなければならない。 また、初段と出力段の間で上下の信号をクロスさせる必要がある。 １２ＡＸ７のプレート負荷抵抗がＲＬｃｈで、また上下段でも異なっているが、歪率を見ながら交流バランスを調整した結果である。 これにより０.１２Ｗ（２Ｖ／３２Ω）時の歪率を半分程度まで低下させることが出来た。 また、回路図上では１２Ｂ４Ａのプレート電流は２５ｍＡと記載してるが、グリッドバイアス回路を約１.５ｍＡ流れているので、実電流は２３.５ｍＡ（Ｐ損失＝３.７６Ｗ）となる。 １２Ｂ４Ａの許容プレート損失５.５Ｗから考えればこの程度が限度かと思われる。 上段１２Ｂ４Ａののカソード電位は＋１５０Ｖ程度になり、Ｈ-Ｋ間電圧が定格（±１００Ｖ）を超える。 そこでヒーターバイアスを８０Ｖかけて、規格内に収まるようにした。 ＮＦＢ１２ｄＢ、入力電圧４Ｖ時の最大出力は約１．２Ｗが得られた。入力感度が低いようであるが、ヘッドホン使用時にはまったく問題ない。 ＶＲの位置は最大でも１４時方向である。 周波数特性は高域まで非常によく伸びている。 また、高域位相補正を行わなくても、１０ＫＺの矩形波は良好であるが、コンデンサーを負荷並列にしたとき、少しオーバーシュートが現れたので、ＮＦＢ抵抗並列に１８００ＰＦを取り付けた。 １Ｗ時の歪率が１．０％強とあまり良好ではない。いくら３２Ω負荷であっても最適負荷抵抗の１０分の１以下の条件でＢ級に近い動作であるから致し方ないことである。 シャーシーはタカチのＫＢ−５（３００×２００×５５）を使用したが、この製品は真空管アンプ用として設計されていないため、板厚も薄く使い勝手は良くない。 トランスの重みで変形している。しかし、板厚が薄いことで、穴あけ作業は非常に楽に行えた。 ヘッドホンアンプとしては、操作部をすべて前部に並べた方が使い勝手が良いのであるが、もう少し大きいシャーシーを使用するか、配置をもっと検討すべきであったと反省している。 電解コンデンサー（Ｈ＝４５mm）は格安品を利用したため、取り付け金具が付属していない。 そこで小型アルミアングルとＬ＝５０mmのボルトで内部に固定した。長さ５５mmのボルトが丁度良いのであるが、市販品には見当たらなかった。 しかし、６０mmでは長すぎてシャーシー内に収まない。（右下の写真参照） 調整段階になって、ＶＲをほとんど絞り切った位置で、超高域発振が発生していた。 出力コンデンサーとヘッドホンジャッグ間の配線位置を変更することで止まったが、コンデンサーの配置や、配線経路に問題があったと思われる。 使用中にヘッドホンを抜いても出力端子が開放あるいは短絡状態になることはないが、そのときの出力はかなり増大するので、並列抵抗の容量が小さいと焼損する恐れがある。 いずれにしても、使用中の抜き差しは控えた方が良い。 
内 部 写 真
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