１２Ｂ４ＡＳＲＰＰヘッドホンアンプ 　　平成２４年７月１１日　 １２Ｂ４ＡＳＲＰＰヘッドホンアンプ 《　はじめに　》 　平成１８年に１２Ｂ４ＡＳＥＰＰＯＴＬヘッドホンアンプを製作していたが、今回は簡易型ＯＴＬアンプとして製作例があるＳＲＰＰ回路を採用する。 ＳＲＰＰは位相反転回路が不要であるため製作は容易である反面、低インピーダンス負荷ではひずみが多く、最大出力も小さくなってしまう。 《　使用部品　》 　シャーシーはリードＳ−４を使用し、表面をサンドペーパー（１５０番）でヘアーライン風に仕上げ、透明ラッカーを吹いて使用した。両サイドには水性ニスで仕上げた木板を内側からねじ止めした。 電源トランスはＰＨ−１００（タンゴ製）に防磁銅帯を巻いたものを使用した。ＣＨコイルにはＣＨ−３−２５０（タンゴ製）を使用したが、かなりのオーバースペックで５Ｈ〜１０Ｈ１００ｍＡ程度のもので十分である。 《　回路構成　》

初段は１２ＡＸ７ＳＲＰＰ、出力段は１２Ｂ４ＡＳＲＰＰ、上段は自己バイアス、下段は固定バイアスである。 　低負荷インピーダンスのＳＲＰＰでは制御抵抗（Ｒｃ）の設定が大切である。制御抵抗（Ｒｃ）は下記の計算式で求めることができる。 　　　Ｒｃ＝（ｒｐ＋ＲＬ）／（μ−１） 　上記計算式にｒｐ＝１０００Ω、ＲＬ＝４２０Ω、μ＝６．５を代入すれば、最適制御抵抗値は２６０Ω前後となる。 ＲＬ＝４２０Ωとした理由は特になく、たまたま直列抵抗が３９０Ωで負荷抵抗に３０Ωを使用した結果である。 しかし、この抵抗は上段のバイアス抵抗も兼ねているので、プレート電圧が高い場合はプレート損失がオーバーしないように注意する必要がある。 制御抵抗よりもバイアス抵抗を大きくいする場合は右図のように結線する方法がある。 見かけの制御抵抗は適正なバイアス電圧が得られる値とし、大容量電解コンデンサーと抵抗（できれば可変抵抗）を直列とした回路を並列接続し、実質制御抵抗値を下げる方法である。 　今回はバイアス用として５１０Ωを使用したところ、歪の最良点の値とほぼ一致していたので、右図の回路は使用しなかった。 計算で求めた制御抵抗値の約２倍であるが、最大出力が得られる制御抵抗値と歪の最良点とは必ずしも一致しないと言うことかも知れない。

このアンプでは高インピーダンス型ヘッドホンと低インピーダンス型ヘッドホンの両方を使用できるように、直列抵抗切り替えＳＷ（３９０Ω／０）をフロントに取り付けた。 直列抵抗を挿入すればＤＦ値が０．１未満まで低下する。 　最初、Ｂ電源整流回路は電圧調整を兼ねてＣＨ入力方式としていたが残留雑音が大きいため、コンデンサー入力方式に変更した。 しかし、今度は電源電圧が高すぎてプレート損失がオーバーするため、４７０Ω１０Ｗで３０Ｖ下げて供給した。 その結果、無信号時のプレート損失は４．５Ｗ程度で許容損失５．５Ｗの８０％に収まった。 《　最大出力、測定結果　》 　入力電圧２．２Ｖにて４２０Ω負荷時２.４Ｗ、３９０Ωを直列とした３０Ω負荷に対して１８０ｍＷのクリップ開始出力が得られた。常用出力の範囲では０．１％未満に収まっている。 高インピーダンス型ヘッドホンでテストしていないが、電力感度が高すぎて少々扱い辛いかも知れない。ヘッドホンは非常に能率が高く１００ｍＷ程度の出力で十分である。 　周波数特性は１０ＨＺで−０．１５ｄＢ、１５８ＫＨＺで−３ｄＢと非常に広帯域に仕上がった。ＳＲＰＰの２段構成が効いていると思われる。 なお、容量付加試験結果は掲載していないが、全く問題はなかった。しかしながら１００ＫＨＺの矩形波観測では高域減衰の影響が顕著である。 　ＮＦＢは２３ｄＢ、残留雑音は４２０Ω負荷で０．１ｍＶ、３０Ω負荷では０．０１ｍＶ未満（測定限界以下）と良好である。 　出力インピーダンスをＯＮ／ＯＦＦ法で測定したところ１０.５Ωであった。 その結果、４２０Ω負荷時のＤＦ値は約４０であるが、３９０Ω直列の３０Ω負荷では０．０７５に低下する。 しかし、ヘッドホンはＤＦ値にほとんど影響を受けないとの報告もある。 　ちなみに、直列抵抗をパスして低インピーダンス型（３２Ω）を使用した場合のＤＦ値は２〜３程度となる。 その時の歪率は０．５％程度まで増加し、ＮＦＢの減少に伴い雑音も増加しているが、歪成分のほとんどは偶数次であるためか、特に歪が多いとか雑音が気になるということはなかった。 《　その他　》 　このアンプはヘッドホン愛好家である知人に試聴をお願いする予定である。 内部配線 背　　面