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全帰還型６３３６Ｂ×２ ＭＴ付ＳＥＰＰアンプ 平成２６年８月１７日 
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全帰還形６３３６Ｂ×２ＳＥＰＰＯＴＬアンプ（平成２３年１０月改造）にマッチングトランス（ＯＴ−３００）を組み合わせたところ、少し動作が不安定となった。 また、８Ωと５０Ωでは打ち消し回路（出力端子から前段カソード）の定数を変更する必要があった。 そこで、負荷インピーダンスが変わっても同じ定数で使用できる可能性を探るため改造することにした。 主要部品のほとんどは全帰還形６３３６Ｂ×２ＳＥＰＰＯＴＬアンプから流用したが、ドライバー段（位相反転段）の１２ＢＨ７Ａ、１２ＡＵ７Ａを６４６３、６４１４に変更した。 マッチングトランス（ＱＳＣ製ＯＴ−３００）はオークションで入手したものを使用した。 ２３ＪＳ６Ａ×４ＳＥＰＰＯＴＬアンプとマッチングトランス（ＯＴ−３００） に使用したものと同じ製品であるが、別物である。 このトランスは端子がむき出し構造であるので自作木製ケースに収め、前面にターミナルを取り付けた。（右の写真参照） ＯＴ−３００は高出力半導体アンプの出力電圧をステップアップし、電力を遠くまで送るために使用するものであるが、ＯＴＬアンプでは逆にステップダウンとして使用する。 容量は７０Ｖ３００Ｗとあるが、サイズから考えて低域では７５Ｗ程度が限度と思われる。サイズは 約９５mm(W) x 約８０mm(H) x 約９８mm(D) 、重量約２．９kgである。 タップは７０Ｖ−３５Ｖ−２８Ｖ−２４Ｖ−ＣＯＭに出されている。 インピーダンスは電圧比の２乗に比例することから、各タップに４Ω、６Ω、８Ω負荷を接続したときの７０Ｖ-ＣＯＭ間インピーダンスを計算すれば下表の通りである。 このように、各種インピーダンスに対応出来るので便利である。 |
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初段は１２ＡＸ７ＡによるＳＲＰＰ、位相反転回路は６４６３によるカソード結合型である。この球は１２ＢＨ７と類似であるが直線性はすぐれているようである。但し、ピン接続が異なっているので差し替えはできない。 ９ＰＭＴソケットが余ったので共通カソード抵抗を６４１４パラによる真空管抵抗とした。 打ち消し回路はもっとも基本的な位相反転段の上段プレートに出力電圧を注入するブートストラップ方式を採用したが、位相反転回路のカソード抵抗を真空管抵抗としておけばＰＮＦＢ型打ち消し回路に改造することも容易である。 ５０Ω負荷時、入力電圧２．１Ｖでクリップ開始出力５０Ｗ（１ＫＨＺ）が得られた。流石に１０ＨＺにおける最大出力は２０Ｗまで低下しているが、２０ＨＺでは４５Ｗが得られている。 ２０ＫＨＺにおける最大出力も４０Ｗが得られている。 ６３３６Ｂで最大出力が得られる負荷抵抗は４０Ω前後であるが、３２Ωでも５０Ωでも最大出力に大差はない。 負荷抵抗が大きい方が最大出力時のプレート電圧低下が少ない（最大出力時のプレート電流が低下する）影響で最大出力は５０Ωの方が僅かに大きくなる。 しかも、ロードラインの傾きが大きいこと、ＮＦＢが増加するなどの効果で歪率は低下するので、５０Ω負荷とした。 高域の減衰が少し早く、４３ＫＨＺで−３ｄＢとなったが、高域は素直に減衰している。これは容量負荷時の１０ＫＨＺ矩形波応答でも明らかである。 左右で少し減衰カーブが異なっているのはマッチングトランスの特性である。 ５０Ω負荷時の残留雑音はＬＣＨ０．０８ｍＶ、ＲＣＨ０．１５ｍＶ、ダンピングファクターは１３．２であった。 なお、８Ω負荷時はの残留雑音はＬＣＨ０．１８ｍＶ、ＲＣＨ０．３５ｍＶ、ダンピングファクターは４であった。 高帰還アンプのため、最大出力付近まではかなり低歪で推移している。５０Ω負荷時のＮＦＢは２２．５ｄＢ、８Ω負荷時はロータリーＳＷで負帰還抵抗並列に６ＫΩと１５０ＰＦを追加しても１８.５ｄＢである。 クロストークはＲＣＨ→ＬＣＨが高域で少し悪化しているが、１０ＫＨＺで−８０ｄＢが得られている。 中域で平坦になっているのは残留雑音による測定限界値の影響である。 下の図はＳＷ投入直後から３０分経過するまでの６３３６Ｂの各プレート電流推移を記録したグラフである。 上段の片側ユニットが劣化している影響で、定常状態に至るまで３０分近くを要するが、その後は安定している。 最低でも１５分程度の余熱が必要である。 
ＰＮＦＢ型、あるいは全帰還型の打消し回路では１０ＫＨＺの歪率が悪化し易く、下段出力管グリッドとプレート間にコンデンサーを挿入する等の対策が必要であるが、ブートストラップ型ではそういった傾向はみられない。 底部にはφ８０ｍｍのＤＣ２４Ｖ低騒音型ファンを取り付けて、強制冷却を行っている。ＤＣ電源は約１７Ｖ（１２Ｖのブリッジ整流）を供給している。 
背 面 写 真 
内 部 写 真 
電源トランス直下に取り付けた冷却ファン
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