７２３３×２マッチングトランス付ＳＥＰＰアンプ 　令和４年５月２３日　 はじめに 　令和３年２月に自作した６ＧＦ７Ａ×２マッチングトランス付ＳＥＰＰアンプとすべて同じトランスを使い、 ほぼ同じ回路構成で７２３３×２マッチングトランス付ＳＥＰＰアンプを製作する。 　７２３３は低内部抵抗、低μのレギュレーター管である。内部電極構造は６０８０、５９９８と同様にコの字型プレートの間にグリッドとカソードが挟まれた形となっている。 この球を使用したＳＥＰＰアンプの最大出力は６Ｃ１９ＰＳＥＰＰアンプの最大出力をご参照いただきたい。 プレート電圧±１５０Ｖ３３０Ω負荷で１０Ｗ弱が見込める。

使用部品 　シャーシーは奥澤Ｏ−８を使用し、両サイドには水性ニスを塗った側板を取り付ける。 底板は１.２�o厚のアルミ板（通風孔、ゴム足付き）を取り付ける。 　電源トランスは西崎電機特注品、ＣＨコイルはＰＭＣ-１１５Ｈ（１Ｈ１５０ｍＡ）を２個、ＰＭＣ-１００６Ｈ（１０Ｈ６０ｍＡ）１個を使用する。 　マッチングトランスは業務用として製造された松下製Ｗ２−ＳＴ３０（オークション入手）を使用する。 このマッチングトランスの規格は１次側３３０Ω-１６７Ω-ＣＯＭ、２次側８Ω-６Ω-ＣＯＭ、容量３０Ｗとなっている。 リード線が側面引き出しとなっていたのでタカチ製ＭＢ-１２Ｓに収めて取り付ける。下の写真参照。 　出力段はＧＥ製７２３３、ドライバー段は東芝製１２ＢＨ７Ａ、初段は１２ＡＸ７を使用する。 共通カソードに接続する定電流回路には手持ちの関係でソブテック製６ＢＱ５（Ｔ）を使用する。

回路構成 　出力段用第１Ｂ電源は左右別とし、それぞれ２８０Ｖ２００ｍＡをブリッジ整流して±１９３Ｖ、最大ＤＣ１２５ｍＡを供給する。 ドライバー段用第２Ｂ電源は１７０Ｖを倍電圧整流して供給する。 バイアス電源は４組の５０Ｖ３０ｍＡをブリッジ整流して供給する。 　打ち消し回路はＰＮＦＢ方式で、マッチングトランス１次側から６ＢＱ５（Ｔ）のカソードへ帰還電圧を注入する。 　ＮＦＢは１次側と２次側をＳＷで切り替えが出来るようにする。 測定結果 　周波数特性では６００ＫＨＺまでは目立ったピークやディップはなく、素直な特性を示していた。 ６００ＫＨＺ以上のピークやディップは問題ないと思われる。 高域遮断周波数は１次側から帰還した場合は約４３ＫＨＺ、２次側から帰還した場合は約７３ＫＨＺとなった。 　ひずみ率は４Ｗ付近まで１％以下に収まった。 周波数特性以外はＮＦＢを１次側、２次側のいずれから掛けてもほとんど差は無かった。 　ＮＦＢは約１０．５ｄＢに設定、残留雑音は左右ＣＨ共０．１８ｍＶ程度と優秀であった。 ＤＦは１次側から帰還した場合は４．８、２次側から帰還した場合は７．８であった。 １次側からの帰還では２次側巻き線抵抗値の影響を受けて少し低くなっている。 最大出力 　入力約０．５Ｖでクリップ開始出力８Ｗ（１ＫＨＺ）が得られた。 最大出力が少し小さい原因は最大出力時のプレート電圧が±１７５Ｖ程度まで低下する影響と思われる。 １０ＨＺにおける最大出力は中域の２８％程度まで低下しているが、２０ＨＺでは中域の約７５％が得られた。 その他 　シャーシー前面にテストピンとＤＣバランス、プレート電流測定用のトグルＳＷ４個を取り付けた。 また、ＤＣバランス、バイアス調整用ＶＲは上面から調整できるように設置した。下の写真参照。 　下段のカップリングコンデンサーの耐圧は６３０Ｖでは不足するので必ず７５０Ｖ耐圧以上のものを使用しなければならない。 　市販品電源トランスの中にはＳＥＰＰアンプ用の製品は見当たらなく、特注せざるを得ないことがネックである。 また、Ｗ２−ＳＴ３０は残念ながら製造中止となってしまった。 背　　面　　写　　真 内部配線 ＤＣバランス、バイアス調整用２連ＶＲとケースに収めたＷ２−ＳＴ３０、電解コンデンサー、ＣＨ