中国製６Ｌ６ＧＣシングルアンプのメンテナンス 　　平成２７年１１月３日　 前面写真　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　背面写真 改造前の内部配線　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　改造後の内部配線

《　はじめに　》 　先日、中国製６Ｌ６ＧＣシングルアンプを入手したのでメンテナンスを兼ねて検証実験を行った。 このアンプの初段には６Ｂ８Ｐ（５極、双２極管）というトップグリッドの珍しい球が使用されていた。 　初めに各部の電圧測定を実施したが、片ＣＨの６Ｌ６ＧＣが少し劣化していたので、両ＣＨとも手持ちの６Ｌ６ＧＣに交換後、測定した。 　下の回路図は実機に基づいて作成したものである。記入電圧は６Ｌ６ＧＣ交換後の値。 《　点検結果　》 出力段は自己バイアスであるが、カソード抵抗３００Ωでは最適動作点から外れ、１Ｗ時の歪率は１％を超えていた。 カソード抵抗を１８０Ω程度に下げた方が良さそうである。 高域位相補償回路は何もなされていないため、高域に大きなディップ、ピークが発生していた。 矩形波応答はＯＰＴの特性がそのまま出ている状態であるが、容量負荷でも安定はしていた。 入力端子からＶＲまでの配線に２芯シールド線が使用されていた影響で高域クロストーク特性はあまり良好ではなかった。 残留雑音が１〜１．５ｍＶ程度発生、６Ｌ６ＧＣのヒーター配線がアースから浮いていたこと、初段球６Ｂ８Ｐの不良が原因と思われる。ＬＣＨは電源トランスの影響を受けている模様である。 ＤＦは２．２程度で、ＮＦＢが掛っているにしては少し低い。 パワートランスの締め付けネジに絶縁ワッシャーが使用されていなかったのでとりつけた。 下表は６Ｌ６ＧＣの自己バイアス動作例であるが、負荷抵抗５ＫΩに適合させるためにはスクリーングリッド電圧を２００Ｖ程度まで下げた方が良さそうである。 《　改造内容　》 　下図は改造後の回路図である。赤記号の部分が追加変更した個所を示している。 ６Ｌ６ＧＣのカソード抵抗を１８３Ωにした結果、プレート電流が少し増加してＢ電源電圧が低下した。 しかし、最大出力の低下はほとんどなく、動作点が最適化された結果ではないだろうか。 　初段のカソード抵抗を２．２ＫΩ＋１００Ωに変更し、ＮＦＢは１００Ω上段に戻した。ＮＦＢ抵抗も１０ＫΩから１ＫΩに変更した。 これにより少し初段の利得が上がり、ＮＦＢが増加してＤＦ値も２．２から２．８に増加した。 　６Ｂ８Ｐのスクリーングリッドとアース間に１５１ＫΩを挿入してＳＧ電圧を下げ、歪の打消し動作を行わせた結果、歪率は１／５以下に低下した。 　矩形波応答はオーバーシュートが少し改善されたのみであまり変化はない。周波数特性では高域の減衰が少し穏やかになった。 　ＯＰＴの特性が少し見劣りするが、通常の使用では全く問題ない状態に仕上がったと思っている。 《　改造後の測定結果　》　　改造前の測定データはここ

改造後矩形波　ＬＣＨ　８Ω　１Ｗ

１００ＨＺ	１ＫＨＺ	１０ＫＨＺ	１０ＫＨＺ（0.1μＦ）	１０ＫＨＺ（0.47μＦ）

改造後矩形波　ＲＣＨ　８Ω　１Ｗ

１００ＨＺ	１ＫＨＺ	１０ＫＨＺ	１０ＫＨＺ（0.1μＦ）	１０ＫＨＺ（0.47μＦ）